，并建立了系统的数学模型。
特点是工艺不变的情况下，可以在相同的面积内塞进更多的晶体管，而且漏电量和功耗同步大幅度降低。
FinFET技术在9102年已经相当成熟，他本是Intel于2011年第一次推出，用于22纳米制造工艺上的第三代酷睿处理器上，随后大部分的半导体厂家开始加入到FinFET工艺阵营当中。
技术难度比起普通的MOS有所提高，工艺上也增加了几十道光、蚀刻、清洗、填塞、气相沉积过程。
对华芯科技而言，技术难点就是材料的物理气相沉积PDV技术，以及堆叠薄膜镀层保护和蚀刻技术。
相比沉浸式光刻技术以及双工台技术的难度而言，FinFET技术犹如小学生的作业题，在现有的技术条件下就可以完成。
加上自对准双重成像技术SADP，一旦得到攻克，王岸然有信心在不调整硬件的基础上，实现800纳米制造工艺的突破，并将芯片的集成度达到320纳米制造工艺的程度。
研究课题的确认，需要理论方面的支持，基于FinFET工艺的BSIM数学模型有现实的指导意义。
9102年，如果说一个芯片底层硬