数十到数千keV能量的离子束由硅片表面注入。
离子注入完毕后的硅片还需要经过热处理，一方面利用热扩散原理进一步将杂质“压入”硅中，另一方面恢复晶格完整性，活化杂质电气特性。
离子注入法具有加工温度低，可均匀、大面积注入杂质，易于控制等优点，因此成为超大规模集成电路中不可缺少的工艺。
再次清除光刻胶。完成离子注入后，可以清除掉选择性掺杂残留下来的光刻胶掩模。
此时，单晶硅内部一小部分硅原子已经被替换成“杂质”元素，从而产生可自由电子或空穴。
绝缘层处理，此时晶体管雏形已经基本完成，利用气相沉积法，在硅晶圆表面全面地沉积一层氧化硅膜，形成绝缘层。
同样利用光刻掩模技术在层间绝缘膜上开孔，以便引出导体电极。
沉淀铜层，利用溅射沉积法，在硅片整个表面上沉积布线用的铜层，继续使用光刻掩模技术对铜层进行雕刻，形成场效应管的源极、漏极、栅极。
最后在整个硅片表面沉积一层绝缘层以保护晶体管。
构建晶体管之间连接电路。
经过漫长的工艺，数以十亿计的晶体管已经制作完成