了一宿，此刻精神 饱满，对着长桌两侧三十多双睿智专注的眼神 ，侃侃而谈道：“这些照片大家开会前都已经看过，对栅极埋入层的形貌结构心里也都有数了，我来给大家分析一下，看看和大家自己做出的分析是不是一样。”
“首先我认为，我们这次工程流片之所以会出现大批不能读写的次品，良品率极低，主要原因虽然有湖研院目前的0.35微米实验制程不成熟，但再怎么不成熟，良品率也不能这么低，真正搞出次品的原因是因为我们的埋入晶圆的栅极扩散层形态异常。”
会议室里大家都松了口气，尤其是目前正在攻关实验室0.35微米制程的工程师们，都觉得胡一亭这句话实在是对他们的最大安慰。
“大家看这张电镜探伤图，左边是这次的良品，右边是这次的不合格品，左边正常形态下的埋入层扩散结构和右边的区别是很明显的，我知道大家现在一定在想，为什么会出现右边这些次品？
问题出在哪呢？我来告诉大家，根据我的判断，这是因为我们扩散层离子注入时，因为注入机的真空度不够，从而引起埋入扩散层的氧化膜厚度中间薄周边厚，薄的部分隔离差，造成中间漏电。”
台下工程师们有的表情恍然大悟，有的