4年已经投产。工艺水平初期是1.2微米，但是随着生产线对于技术的掌握和吃透，做到0.8微米是没问题的，甚至，半导体工艺也不是绝对的，如果团队能挖掘潜力，让工艺水平突破设备的极限，做到0.5微米，也不是不可能。
比如，后世的英特尔迟迟卡在10纳米工艺制程，长期在使用14纳米制程。相对而言，台积电和三星，已经开始进入7纳米阶段。并不说说，台积电和三星的设备比英特尔更先进。其实，三家公司的设备上，是同一代产品。
只不过，三星和台积电，对于设备吃的更透，率先挖掘出了设备的潜力。而英特尔则是因为，关键的地方出了问题，一直卡在14纳米，未能让设备发挥出更大的潜力。
而90年代的1微米工艺制程的设备，如果初期投产达不到相对精度，可以降低标准，当做1.2微米的工艺，降低精度来增加良品率。随着时间发展，不仅仅良品率会越来越高，而且，如果生产线的技术人员进行一些改进和挖掘潜力，少则不需要更换光刻机，小范围改进就可以将工艺升级到0.8微米。如果，整个团队都是比较牛逼，不换光刻机，用精度更落后的光刻机挖掘潜力，将工艺提升到0.5微米，也不是不可以做到。